IGBT串聯(lián)諧振中頻電源
主要優(yōu)勢(shì)
▲采用德國原裝進(jìn)口IGBT 模塊 --器件損耗小
▲負(fù)載電路輸出電壓高--負(fù)載損耗僅為普通電爐的四分之一
▲運(yùn)行在高整流系數(shù)和高功率因數(shù)--整機(jī)電效率高
▲采用 PLC 智能控制系統(tǒng)--整機(jī)自我保護(hù)功能完善
▲多年技術(shù)經(jīng)驗(yàn)積累--設(shè)備成熟、性能穩(wěn)定
▲整機(jī)設(shè)計(jì)原則為節(jié)能降耗--節(jié)電 30%以上
IGBT技術(shù)介紹
▲IGBT 中頻電源是一種以IGBT模塊為主要逆變器件的新型節(jié)能電源。整機(jī)由大容量固態(tài)IGBT元件和輔助元件組成單相半橋逆變器系統(tǒng);由高耐壓大容量電熱電容器和高純度大截面熔爐感應(yīng)線圈組成串聯(lián)式逆變負(fù)載諧振回路系統(tǒng);由PLC 智能化、數(shù)字化大規(guī)模集成電路組成其主控系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和逆變觸發(fā)系統(tǒng)。具有低能耗、高穩(wěn)定性等特點(diǎn)。
IGBT 技術(shù)與可控硅串聯(lián)技術(shù)的主要區(qū)別在于其逆變器件為IGBT模塊，相較于可控硅來說,IGBT沒有關(guān)斷時(shí)間的概念,因此具有更高的逆變效率。新一代IGBT串聯(lián)電源通過控制系統(tǒng)和硬件升級(jí)，解決了原IGBT故障率高，維護(hù)維修成本高的問題。對(duì)于側(cè)重于降低能耗的用戶來說,IGBT是比較好的選擇。
